当前位置：首页 > 产品中心
石墨升华速度
在线留言
如果您有什么需求或者疑问，请您留言，我们收到后会尽快给您答复！您也可以直接拨打电话 18037697586 联系我们!
石墨升华速度
世界首个石墨烯半导体登Nature，中国团队为摩尔定律续命10年
天津大学和佐治亚理工学院的研究者，造出了世界首个由石墨烯制成的功能半导体。 团队的突破，为新的电子产品打开了大门。 研究已经登上Nature。 论文https://nature/articles/s41586023068110 这项研究，成功地攻克了长期以 摘要: 通过热力学和动力学的基本理论, 分析了毫秒脉冲激光照射石墨悬浮液合成超细纳米金刚石的机理在毫秒脉冲激光与石墨颗粒相互作用形成的碳蒸气羽中, 通过碳蒸气凝聚形成了 FIT Document(F:\whxb\2007\077\1105FIT)
碳离子注入辅助在6HSiC表面制备石墨烯
摘要 为了寻找一种更便捷、更经济的在半导体 SiC 基底上直接生长石墨烯的方法, 将 5keVC 离子注入商用6HSiC (0001)单晶, 通过拉曼光谱、扫描电子显微镜 (SEM)和原子力显微 天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授及其科研团队，日前在半导体石墨烯领域取得了显著进展。 该团队的研究成果以“Ultrahighmobility semiconducting 【News】纳米中心2024首篇Nature：半导体石墨烯新进展
FEFF
随着初始颗粒体积分数的增加,“颗 粒辐射/气体导热功率比”增 加对 于氢气电弧,“颗 粒辐射/气体导热功率比”最 大值略小于1;对 于氩气电弧,由,于氩气的导热系数要远远低于氢气的导 石墨是元素碳的一种同素异形体，每个碳原子的周边连结著另外三个碳原子（排列方式呈蜂巢式的多个六边形）以共价键结合，构成共价分子。 由于每个碳原子均会放出一个电子， 石墨百科中国石墨行业门户
石墨烯玻璃：玻璃表面上石墨烯的直接生长
将石墨烯与玻璃结合在一起，在保持透明性的基础上，同时赋予普通玻璃导电性、导热性和表面疏水性，具有非常重要的实际意义和理论价值。 相比于液相涂膜或者转移的方法，直 石墨的升华是怎么回事？ 升华的速度慢，继续加热达到沸点。石墨的升华是怎么回事？百度知道
石墨烯高温器件应用的提出与本征载流子属性的测量 中国
石墨烯是半金属，不是一个半导体；通过掺杂或石墨烯场效应，可以制成pn结或晶体管。 在碳纳米管和石墨烯领域，相当多的研究关注于室温和低温测量用于追求高载流子迁移率。Abstract 本发明公开了一种转移石墨烯的方法。 该方法利用易升华的物质作为转移石墨烯的支撑层，首先通过加热易升华物质，使其在生长于初始基体上的石墨烯表面凝华形成致 一种基于升华法的转移石墨烯的方法 Institutional Repository
世界首个石墨烯半导体登Nature，中国团队为摩尔定律续命10年
天津大学和佐治亚理工学院的研究者，造出了世界首个由石墨烯制成的功能半导体。 团队的突破，为新的电子产品打开了大门。 研究已经登上Nature （ 1 ）加工速度更快：通常情况下，石墨的机械加工速度能比铜快 2~5 倍；而放电加工速度比铜快 2~3 倍 材料更不容易变形：在薄筋电极的加工上优势明显；铜的软化点在 1000 度左右，容易因受热而产生变形；石墨的升华温度为 3650 度；热膨胀系数仅有铜的 1/30 。石墨百科中国石墨行业门户
中科院博士分享：电阻法制备8英寸SiC晶体的关键技术丨小
中科院博士分享：电阻法制备8英寸SiC晶体的关键技术丨小饭局回顾 作为第三代半导体材料，碳化硅正成为行业研究的热点，其具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。 但 石墨是一种由碳元素构成的非金属材料，具有六方晶系的层状结构，每一层由碳原子排列成蜂窝状的平面网状结构，层与层之间通过范德华力相互作用。 石墨具有以下特点： 高温稳定性： 石墨在空气中的燃点为730℃，在惰性气体中可耐高达3000℃以上的高温 石墨材料及制品常见检项目及参考标准详解结构强度领域
加工效率翻倍，这才是石墨铣削冠军！电极
加工速度更快： 通常情况下，石墨的铣削加工速度能比铜快2~3倍；放电速度也比铜快，因为在相同火花位的情况下，石墨可以使用比较大的电流；因为可捆绑成组合电极，减少了电极数量和加工时间。 材料成本更灵活： 能够针对各种加工情况选择不同等级的 早期，人们主要关注衬底表面的反应对石墨烯生长行为的影响，并基于此开展了系统的研究工作 26, 38 42 ，而对石墨烯CVD生长过程中气相反应的影响讨论较少，相关工作缺少系统梳理。 为填补这一空白，本文将系统地综述气相反应对CVD生长石墨烯的影响，在 气相反应对CVD生长石墨烯的影响 物理化学学报
【News】纳米中心2024首篇Nature：半导体石墨烯新进展
天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授及其科研团队，日前在半导体石墨烯领域取得了显著进展。该团队的研究成果以“Ultrahighmobility semiconducting epitaxial graphene on silicon carbide”为题，已于2023年10月31日在Nature杂志 首先是成核过程，在生长进行到30 min时形成可见的石墨烯核心，石墨烯在熔融玻璃表面是同时成核的，在后续生长过程中基本不会再有新的核心产生。 然后是生长过程，当生长到一定阶段时，会形成尺寸约为1 μm左右的石墨烯圆片，这些圆片的大小和分布都十分 石墨烯玻璃：玻璃表面上石墨烯的直接生长
蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯
其中在1100 ℃下，样品表面有大量褶皱和少量小颗粒，类似于C面SiC衬底高温升华法制备的石墨烯表面形貌 13 。 这些褶皱和小颗粒可能是在低温 (1100 ℃)下，C原子在蓝宝石衬底表面重构，没有充分地在蓝宝石衬底表面形成均匀的 sp2 杂化，而是有部分C原子堆垛 为提高冶炼速度而大幅度缩短冶炼时间，均采用强制吹氧的高化学能操作，这对石墨电极的抗氧化性和抗热震性提出了更高要求。 冶炼中石墨电极的端部消耗包括——电弧高温中产生的升华，与钢水和钢渣接触中产生的化学反应。 石墨电极的氧化损失约占总 一文看懂石墨电极与炼钢的关系：对电弧炉冶炼中石墨电极
浙大高超教授合作《AM》：宏观组装石墨烯纳米膜
所制备的石墨烯纳米膜在特定应用领域具有超越单层石墨烯以及宏观组装微米厚石墨烯膜的性质，可用于热声器件，提升器件的响应度和响应速度（30 µs）；可用于太赫兹等离子激元检测痕量分子浓度，显著提升检测最低浓度极限（20倍左右）。EDM石墨，又称为电火花加工用石墨，是一种新型材料，现在越来越广泛地应用在精密模具加工行业。 目前在发达的欧洲国家的模具加工厂，超过90％以上的模具加工电极材料是石墨。 铜，这种曾经占统治地位的电极材料，和石墨电极相比它的优势几乎消失殆尽 科普：什么是电火花加工用EDM石墨？放电
石墨烯，半导体的新希望？36氪
它们通过加热半导体材料碳化硅（SiC），待表面的硅原子从SiC晶体表面升华后，会留下一个富含碳的层，丰富的碳表明可以重新结晶生成具有石墨烯 采用乙醇溶剂剥离的方法制备石墨烯 通过对溶剂温度、超声时间、超声功率和溶剂离心速度及时间的控制, 从高定向热解石墨(HOPG) 制备得到少层石墨烯 用原子力显微镜(AFM)研究了云母基底上不同层数石墨烯在真空中的纳米摩擦过程, 发现从约4 个原子单层(4 ML) 起, 摩擦系数基本不再变化,但摩擦力仍 石墨烯的纳米摩擦与磨损性质 物理化学学报
酞菁铅在石墨烯表面吸附行为的拉曼光谱研究
利用石墨烯增强拉曼散射效应可以获得与石墨烯接触的某些分子的拉曼增强信号,并且对于不同的分子或振动模, 其拉曼增强因子不同 根据这一特征, 本工作利用拉曼光谱技术对石墨烯表面上酞菁铅(PbPc)分子LangmuirBlodgett (LB) 膜在退火过程中吸附构型的变化进行了跟踪研究 发现随着退火温度的升高 这个纪录，被石墨烯打破了！ 天津大学和佐治亚理工学院的研究者，造出了世界首个由石墨烯制成的功能半导体。 团队的突破，为新的电子产品打开了大门。 研究已经登上Nature。 这项研究，成功地攻克了长期以来阻碍石墨烯电子学发展的关键技术难题 世界首个石墨烯半导体登Nature，中国团队为摩尔定律续命10
等静压石墨详解
石墨邦，国内首家碳石墨全产业链电商平台欲交流请加微信号：shimobang 但是，氢的同位素入射会导致石墨材料生成CH4气体的消耗性化学飞溅现象以及辐射增强升华损耗现象 (辐射增强升华是指等离子体粒子处于辐照环境下，即使当前温度未 石墨邦，国内首家碳石墨全产业链电商平台欲交流请加微信号：shimobang 但是，氢的同位素入射会导致石墨材料生成CH4气体的消耗性化学飞溅现象以及辐射增强升华损耗现象(辐射增强升华是指等离子体粒子处于辐照环境下，即使当前温度未 等静压石墨的生产工艺、主要用途和国内市场分析
石墨烯在Ni金属表面上的生长机理 arXiv
[9] 等Q Yu 2008 大、质量较好的大面积石墨烯 易于在衬底表面生长形成附着力较, 当石墨烯和金属衬底的晶格匹配较好时石墨烯是2004年在一块石墨上使用透明胶带发现的 佐治亚理工学院的物理学教授沃尔特德希尔 (Walter de Heer)及天津大学马雷教授团队的最新研究让石墨烯成功有了带隙，为石墨烯在半导体领域的应用开启了新的可能性。 通过在SiC上的生长过程中施加特定的 石墨烯，半导体的新希望？腾讯新闻
世界首个石墨烯半导体登Nature，中国团队为摩尔定律续命10年
天津大学和佐治亚理工学院的研究者，造出了世界首个由石墨烯制成的功能半导体。 团队的突破，为新的电子产品打开了大门。 研究已经登上Nature （ 1 ）加工速度更快：通常情况下，石墨的机械加工速度能比铜快 2~5 倍；而放电加工速度比铜快 2~3 倍 材料更不容易变形：在薄筋电极的加工上优势明显；铜的软化点在 1000 度左右，容易因受热而产生变形；石墨的升华温度为 3650 度；热膨胀系数仅有铜的 1/30 。石墨百科中国石墨行业门户
中科院博士分享：电阻法制备8英寸SiC晶体的关键技术丨小
中科院博士分享：电阻法制备8英寸SiC晶体的关键技术丨小饭局回顾 作为第三代半导体材料，碳化硅正成为行业研究的热点，其具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。 但 石墨是一种由碳元素构成的非金属材料，具有六方晶系的层状结构，每一层由碳原子排列成蜂窝状的平面网状结构，层与层之间通过范德华力相互作用。 石墨具有以下特点： 高温稳定性： 石墨在空气中的燃点为730℃，在惰性气体中可耐高达3000℃以上的高温 石墨材料及制品常见检项目及参考标准详解结构强度领域
加工效率翻倍，这才是石墨铣削冠军！电极
加工速度更快： 通常情况下，石墨的铣削加工速度能比铜快2~3倍；放电速度也比铜快，因为在相同火花位的情况下，石墨可以使用比较大的电流；因为可捆绑成组合电极，减少了电极数量和加工时间。 材料成本更灵活： 能够针对各种加工情况选择不同等级的 早期，人们主要关注衬底表面的反应对石墨烯生长行为的影响，并基于此开展了系统的研究工作 26, 38 42 ，而对石墨烯CVD生长过程中气相反应的影响讨论较少，相关工作缺少系统梳理。 为填补这一空白，本文将系统地综述气相反应对CVD生长石墨烯的影响，在 气相反应对CVD生长石墨烯的影响 物理化学学报
【News】纳米中心2024首篇Nature：半导体石墨烯新进展
天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授及其科研团队，日前在半导体石墨烯领域取得了显著进展。该团队的研究成果以“Ultrahighmobility semiconducting epitaxial graphene on silicon carbide”为题，已于2023年10月31日在Nature杂志 首先是成核过程，在生长进行到30 min时形成可见的石墨烯核心，石墨烯在熔融玻璃表面是同时成核的，在后续生长过程中基本不会再有新的核心产生。 然后是生长过程，当生长到一定阶段时，会形成尺寸约为1 μm左右的石墨烯圆片，这些圆片的大小和分布都十分 石墨烯玻璃：玻璃表面上石墨烯的直接生长
蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯
其中在1100 ℃下，样品表面有大量褶皱和少量小颗粒，类似于C面SiC衬底高温升华法制备的石墨烯表面形貌 13 。 这些褶皱和小颗粒可能是在低温 (1100 ℃)下，C原子在蓝宝石衬底表面重构，没有充分地在蓝宝石衬底表面形成均匀的 sp2 杂化，而是有部分C原子堆垛 为提高冶炼速度而大幅度缩短冶炼时间，均采用强制吹氧的高化学能操作，这对石墨电极的抗氧化性和抗热震性提出了更高要求。 冶炼中石墨电极的端部消耗包括——电弧高温中产生的升华，与钢水和钢渣接触中产生的化学反应。 石墨电极的氧化损失约占总 一文看懂石墨电极与炼钢的关系：对电弧炉冶炼中石墨电极